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  • 型号: SPP18P06P H
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPP18P06P H由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP18P06P H价格参考¥3.40-¥3.47。InfineonSPP18P06P H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPP18P06P H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPP18P06P H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220MOSFET SIPMOS Power Transistor

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 18.7 A

Id-连续漏极电流

- 18.7 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP18P06P HSIPMOS®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPP18P06P+H_Rev1.91.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bac716c0c95

产品型号

SPP18P06P H

Pd-PowerDissipation

81.1 W

Pd-功率耗散

81.1 W

Qg-GateCharge

- 21 nC

Qg-栅极电荷

- 21 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

130 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

130 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5.8 nS

下降时间

11 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

860pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

28nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 13.2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220-3

其它名称

SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06PH
SPP18P06PHXKSA1

典型关闭延迟时间

25 nS

功率-最大值

81.1W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18.7A (Ta)

系列

SPP18P06

配置

Single

零件号别名

SP000446906 SPP18P06PHXKSA1

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